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电子元器件详细资料 » IC[28827] » NTMD6N04R2G
型号:NTMD6N04R2G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 4.6A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 40V 4.6A 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C34 毫欧 @ 5.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds900pF @ 32V
功率_最大1.29W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市恒意法电子有限公司朱小姐 刘小姐18026926850/0755-83247709/0755-83247721
深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
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